г. Уссурийск ул.Тимирязева, д.2, офис 205. вход с улицы Агеева

8-(4234)-24-97-24

Транзисторы Импортные

20.00 Р
PNP, Uкбо макс=160 В, Iк макс =1 А, h21э мин =160, fгр. =15 МГц, Pmax=0.9 Вт
Корпус: TO-92L
Комплементарная пара: 2SC2383
1 шт.
+

100.00 Р
Корпус: TO-220F
1 шт.
+

80.00 Р
NPN 450V 5A
Корпус: TO-220F
1 шт.
+

90.00 Р
NPN 450В/8А/ 23Вт 800нс
Корпус: TO-220F
1 шт.
+

180.00 Р
Корпус: TO-220F
1 шт.
+

80.00 Р
Корпус: TO-220IS
1 шт.
+

120.00 Р
Корпус: TO-220
1 шт.
+

120.00 Р
30V DUAL N- AND P- CHANNEL HEXFET POWER MOSFET
Корпус SO-8
1 шт.
+

160.00 Р
HVX-2 Series Power MOSFET(900V 10A)
Корпус: TO-3PML
1 шт.
+

120.00 Р
N-MOSFET 600V, 4.0A
Корпус: TO-220F
1 шт.
+

120.00 Р
N-CH 500V 12A
Корпус: TO-220F
1 шт.
+

120.00 Р
MOS - N - FET ; LogL ; 60V ;  25A ; 30W ; < 70mOhm
Корпус: TO-220F
1 шт.
+

120.00 Р
MOSFET N-CH 900V 2.5A
Корпус: TO-220F
1 шт.
+

160.00 Р
500V, 12A
Корпус: TO-220
1 шт.
+

120.00 Р
N-FET-800V-4A-40W<2.4R
Корпус: TO-220F
1 шт.
+

120.00 Р
N-FET-800V-4A-40W<2.4R
Корпус: TO-220
1 шт.
+

120.00 Р
Корпус: TO-3PFa
NPN + Diode hi-res
1 шт.
+

160.00 Р
NPN triple diffused planar silicon transistor, color TV horizontal deflection output switching application
Корпус: TO-3PML
NPN + Diode hi-res
1 шт.
+

160.00 Р
Корпус: TO-3P(H)IS
NPN + Diode hi-res
1 шт.
+

160.00 Р
V-MOS, S-Reg, 600V, 6A, 100W
Корпус: TO-220
1 шт.
+

240.00 Р
MOSFET N-CH 1KV 8A
TO-3P
1 шт.
+

320.00 Р
Корпус: TO-3PML
1 шт.
+

150.00 Р
600V. 4A. 60W
Корпус: TO-220
1 шт.
+

240.00 Р
V-MOS, 900V, 5A, 150W, <2,5e(3A)
Корпус: TO-3P(I)
1 шт.
+

300.00 Р
Корпус: TO-3P(I)
1 шт.
+

120.00 Р
V-MOS, 900V, n3,5A, 35W, <2,8e(2A)
Корпус: TO-220F
1 шт.
+

120.00 Р
Корпус: TO-220F
1 шт.
+

200.00 Р
Корпус: TO-3PF
1 шт.
+

150.00 Р
POWER MOSFET 800V 7A 60W
Корпус: TO-220F
1 шт.
+

40.00 Р
Корпус: TO-220F
1 шт.
+

40.00 Р
Корпус: TO-220F
1 шт.
+

150.00 Р
Logic level
Корпус: SOT-223
1 шт.
+